Как отмечает производитель, в новинках используется флеш-память NAND с многоуровневыми ячейками компании IMFT, изготовленная по нормам 20-нанометрового технологического процесса. Отмечается, что в используемой флэш-памяти применяется новая структура ячеек, что позволяет увеличить количество ячеек по сравнению с традиционными архитектурами. В 20-нанометровой флеш-памяти NAND (64 ГБ) впервые в отрасли используется плоскостная структура ячейки, что позволяет решить проблемы, связанные с современными технологиями производственных процессов, и обеспечить высокую производительность и надежность на уровне флеш-памяти предыдущего поколения, выполненной по 25-нанометровой технологии. Плоскостная структура ячеек помогает преодолеть ограничения связанные с дальнейшим масштабированием размеров стандартных ячеек плавающих затворов памяти NAND за счет внедрения в процесс производства памяти металлических затворов и диэлектриков Hi-K.
Накопители Intel SSD 335 имеют форм-фактор
Твердотельные накопители Intel серии 335 имеют трехлетнюю ограниченную гарантию. Они должны поступить в продажу уже в скором времени.